Статистика государственных финансов
Правила переоформления студенческих работ
Требования к оформлению студенческих работ

Расчет каскада транзисторного усилителя мощности

ГлавнаяЭлектронная техника, радиотехника и связьЭлектроника и микроэлектроника
ДисциплинаЭлектроника и микроэлектроника
ВУЗМГУ

Содержание

Задание №1 
Начертить конструкцию заданного полупроводникового прибора и его условно-графическое обозначение. Указать методы его изготовления и классификационные признаки. На основе анализа физических процессов и явлений в приборе описать принцип его действия. Привести формулы и уравнения математической модели. Описать основные параметры и начертить статические характеристики. Указать области практического применения.
Тип полупроводникового прибора: МДП-транзисторы со встроенным каналом р-типа

Задание №2
Начертить принципиальную схему заданного электронного устройства с обозначением всех необходимых для описания электрических величин. Обосновать назначение и выбор элементов схемы. Описать принцип работы устройства с построением соответствующих графиков и временных диаграмм токов и напряжений. Привести необходимые расчетные формулы. Указать параметры и начертить статические характеристики данного устройства.
Тип электронного устройства: Избирательные усилители.
Задание №3
Рассчитать каскад транзисторного усилителя мощности, принципиальная схема которого дана на рис.2. Начертить исходную принципиальную схему каскада с принятыми буквенными обозначениями и числами заданных величин. Начертить статические характеристики транзистора и произвести необходимые построения на них.