• 2016 год
  • Инфляция Безработица Рост ВВП
  • МРОТ: 6204 рублей
    Ключевая ставка: 10.00%
  • НДС: 18% √ Налог на прибыль: 20%
    Страховые взносы в ПФ: 30%
    Налог на имущество: 2% (регион)
  • 2014 год
  • Инфляция: 11.4% √ Безработица: 5.1% √ Рост ВВП: 0.6%
  • МРОТ: 5554 рублей
    Ключевая ставка: 17%
    • Россия в цифрах

      Россия в цифрах

      Статистические данные
    • Мировая экономика в цифрах

      Мировая экономика в цифрах

      Показатели и индикаторы развития мировой экономики.
    • Новости образования

      Новости образования

      Федеральная служба по надзору в сфере образования и науки (Рособрнадзор): список закрытых вузов, новости ЕГЭ

Схема прямого включения p-n перехода

ГлавнаяВычислительная техникаЭлектротехника и электроника
ДисциплинаЭлектротехника и электроника
ВУЗДВГТУ
Описание
1. Начертить схему прямого включения p-n перехода, показать токи протекающие через p-n переход, их направление и соотношение, указать порядок величины результирующего тока.
2. По заданной маркировке диода 2С 220Ж определить тип, дать полную техническую характеристику, указать физический смысл и рассчитать заданный параметр Rдиф, если Iст.min=0,5 мА, Iст.max=6,2 мА, ΔUст=0,7 В.
3. По справочнику выбрать биополярный транзистор согласно fгр=7,5 МГц, Uкэmax=50 . Выполнить необходимые вычисления,  построения и сделать выводы.
Ответ должен содержать:
1) таблицу с обозначением выбранного транзистора и его справочными данными
2) запись определения биополярного  транзистора
3) заданную схему включения транзистора
4) запись о том, какие токи и напряжения являются для данной схемы входными и выходными
5) особенности данной схемы включения
6) входную и выходные характеристики транзистора включенного в ОЭ
7) расчет и построение нагрузочной прямой с обозначением на выходных характеристиках величин Eк, Iкрт, Uкэ.р.т. URн, Ik=Eк/Rн
8) данные режима работы транзистора
9) таблицу расчета линии допустимых режимов, построение этой линии на выходных характеристиках, вывод о допустимости работы транзистора в заданном режиме
10) обозначение на выходных характеристиках транзистора областей насыщения и отсечки
11) ответ о физическом смысле заданного параметра
12) расшифровку маркировки заданного транзистора
Схема включения и режим работы транзистора – с ОЭ режим насыщения, динамический Ek=60 В, Rн=20 Ом, Iкрт=1,75 А, параметр – Iкбо.
4. В схеме простейшего усилителя низкой частоты на транзисторе начальное смещение базы в режиме покоя задается током резистора RБ. Даны параметры Rk=1,8 кОм, Ek=11 В, h21э=25. Рассчитайте значение Rб так чтобы в режиме покоя между коллектором и эмиттером транзистора было задано напряжение Uкэ=7,5 В. 
5. В схеме транзисторного ключа даны сопротивление резистора Rк=3,5 кОм и значение параметра h21э=25 транзистора, а также напряжение питания Eк=7,5 В. Рассчитать значение Rб так, чтобы в отсутствие входных сигналов транзистор находился в насыщении с коэффициентом насыщения Sнас=1,9. Найти ток коллектора.
6. Как влияет температура на проводимость полупроводникового кристалла?
7. Какие бывают виды пробоя p-n перехода? В каком приборе явление пробоя используется как полезное?
τ twitter ВКонтакте Ψ facebook
+7 912 459 33 67 594-797-934